中企突然宣布，抢在“美企”前面，国产芯片取得了新突破

我国在半导体行业的起步相对比较晚，欧美日韩等企业已经在相关领域布局了几十年，我们想要靠短程赛跑去实现超越很难，互联网行业可以突破，但半导体行业靠的是产业链，需要布局数年。 　　好在经过近十年的努力，我们终于在半导体领域看到了星星之火，而且已经迎来了可以燎原的趋势，未来的半导体产业，中国企业在其中必定会起到至关重要的作用。
 
 　　在国家和各界的关注下，这几年半导体行业的投资金额逐年提升，仅2021年就有资本融资686起，获得投融资金额2013.74亿元，截至2022年6月底，中国芯片半导体公司数量已达2904家。 　　这其中不乏一些已经做到了行业头部的企业，像我们熟悉的中芯国际、华为海思、紫光展锐、长江存储等，这些企业所掌握的技术，均达到了国际先进水平，甚至有些已经做到了全球领先。 　　2016年成立的长江存储在闪存芯片领域，就实现了阶梯性的跨越，原本国内科技公司做电子产品，都需要向美国、韩国企业购买闪存，但长江存储现在已经做出了UFS3.1通用闪存。
 
 　　今年4月，长江存储就推出了UC023闪存，这是长江存储打造的一款UFS3.1旗舰级高速闪存芯片，这款产品连续读取速度可达2000MB/s，写入速度最高可达1250MB/s。 　　要知道三星的512GBUFS3.1闪存的读取速度是2100MB/s，写入速度是1200MB/s，长江存储推出的UFS3.1闪存，在读写速度上都已经向三星看齐了。 　　更关键的是，如今长江存储又在闪存芯片技术上实现了一项新突破，近日长江存储完成了232层3DNAND闪存生产，成为了全球首个实现量产200层以上3DNAND的厂商。
 　　有机构拆解了首款采用232层3DNAND颗粒的固态硬盘，通过拆解海康威视的CC7002TB的固态硬盘分析发现，这款产品就是用的长江存储232层3DNAND颗粒。 　　这意味着，长江存储确实已经完成了232层3DNAND闪存的量产，国产芯片又取得了新的突破。 　　要知道，3DNAND闪存技术做到128层就已经颇具挑战了，三星、SK海力士、美光等企业花了数年时间才达到了这个水平，长江存储再次向外界证明了什么是中国速度。
 　　2016年成立的长江存储，次年就完成了32层NAND闪存的小批量生产，2019年又顺利攻克了64层NAND闪存的批量生产，打破了闪存芯片被外企垄断的困境。 　　而且长江存储的64层NAND闪存可媲美竞品的96层3DNAND闪存，主要原因就是长江存储自创的X-tacking架构起到了巨大作用。 　　据悉，X-tacking架构可以在开发产品时将时间缩短90天，产品生产周期可以缩短20%，单位面积存储密度可达到竞品的96层3DNAND闪存水平。
 
 　　长江存储靠着这项原创技术，直接跳过了96层，直升到了128层技术，并推出了成熟的产品，而现在长江存储又突破了200层技术，真是可喜可贺。 　　事实上长江存储做出232层3DNAND闪存之前，美国存储芯片巨头美光科技曾表示，要成为全球首个量产232层3DNAND闪存的企业，但却迟迟没有消息。 　　千等万等，如今却等来了中企的突破，真的是振奋人心，不过长江存储的突破却让美国人急了，逼得美国两党很着急，并施压美商务部采取行动。
 
 　　最后再分享一个笑话，这两年是不是很少看到三星、美光、海力士它们的工厂失火了，失火只是借口，涨价才是目的，如今有了国产长江存储，它们想涨价也涨不上去了。 　　不得不说，长江存储作为后起之秀，却一次次地放出王炸，让我们看到了国产芯片的希望，如果中国企业中还能出现几家像长江存储这样的企业，未来我们何惧被卡脖子。