激光芯片新品问世：长光华芯发布28W商用单管芯片

半导体激光器的输出功率及效率主要受到激光器阈值、斜率和高电流功率Rollover等因素的影响，长光华芯通过优化外延结构设计有效避免高电流Rollover并提升光电转换效率。

1．效率提高

通常通过降低PN结的掺杂浓度来降低阈值，提高斜率，而过低的掺杂浓度会导致PN结电阻增加，芯片电压升高。为解决阈值、斜率与电压的优化平衡问题，我们优化了非对称大光腔结构波，增加波导层厚度，精细的设计了掺杂浓度在PN结不同区域的分布，减小光场与高掺杂限制层中自由载流子的交叠，从而减小吸收损耗，以保证在降低阈值、提高斜效率时电压基本保持不变，从而提高芯片效率。

2．避免高电流Rollover

高电流打弯主要源于高电流注入时内量子效率降低。我们通过优化激光结构增益区附近材料的能带结构，提高PN结注入电子的限制能力的方式，增强了高电流注入时的量子效率，有效避免了高电流打弯现象。

长光华芯通过反波导、微结构修饰工程的方法，增加高阶模式的散射损耗，抑制高阶侧模，提高激光器芯片的光束质量，提高亮度，目前长光华芯单管芯片达到慢轴95％能量发散角9°，亮度大于80MW／cm2sr。